本報(bào)訊(見(jiàn)習(xí)記者江慶齡)上海應(yīng)用技術(shù)大學(xué)教授房永征、劉玉峰團(tuán)隊(duì)與國(guó)科大杭州高等研究院及美國(guó)麻省理工學(xué)院等單位的科研人員合作,在二維半導(dǎo)體材料異質(zhì)外延方面取得新進(jìn)展。近日,相關(guān)研究成果發(fā)表于《先進(jìn)材料》。
隨著我國(guó)高性能探測(cè)技術(shù)領(lǐng)域應(yīng)用需求的持續(xù)增加,對(duì)新型光電探測(cè)材料的發(fā)展提出了更高要求。作為光電探測(cè)技術(shù)最核心的材料之一,異質(zhì)外延半導(dǎo)體材料因其優(yōu)異的光電性能,展現(xiàn)出廣闊的應(yīng)用前景。然而,這些材料在單一襯底上的異質(zhì)外延往往面臨較高的晶格應(yīng)變,導(dǎo)致界面質(zhì)量下降、晶體缺陷增加。同時(shí),昂貴的半導(dǎo)體設(shè)備及復(fù)雜的半導(dǎo)體工藝技術(shù),進(jìn)一步限制了異質(zhì)外延半導(dǎo)體材料的廣泛應(yīng)用。 研究團(tuán)隊(duì)通過(guò)“面內(nèi)自適應(yīng)異質(zhì)外延”策略,成功實(shí)現(xiàn)了二維半導(dǎo)體單晶材料在c面藍(lán)寶石襯底上的高取向外延生長(zhǎng)。該方法通過(guò)晶體取向的30°旋轉(zhuǎn),有效調(diào)控了壓應(yīng)力與拉應(yīng)力,實(shí)現(xiàn)應(yīng)變的可容忍性,使不同晶格常數(shù)的異質(zhì)外延單晶與藍(lán)寶石襯底之間形成可控的界面應(yīng)變。 基于該異質(zhì)外延材料的光電探測(cè)器件較非外延器件展現(xiàn)出更優(yōu)異的光電探測(cè)性能。此外,該光電探測(cè)器在多次開(kāi)關(guān)循環(huán)和長(zhǎng)時(shí)間測(cè)試中保持穩(wěn)定,展現(xiàn)出優(yōu)異的運(yùn)行可靠性和長(zhǎng)的器件壽命,為新型半導(dǎo)體材料異質(zhì)外延生長(zhǎng)及其器件應(yīng)用提供了新的實(shí)驗(yàn)方法和理論支撐。 相關(guān)論文信息: https://doi.org/10.1002/adma.202413852 《中國(guó)科學(xué)報(bào)》 (2024-12-13 第1版 要聞)
|